MEMS技術用于HFF晶體單元/HFF振蕩器，使高頻產品能夠直接以基波起振。
    不同于傳統(tǒng)機械加工將晶片整體變薄，光刻加工僅減少驅動電極左近的厚度（反向臺構 造），堅持芯片強度。這樣以來，百MHz 的高頻晶振能夠直接以基波起振，不用以中低頻成熟產品作為基準頻率源。光刻加工的HFF振蕩用具有[敏感詞]的抗震性以及較低的相位 噪聲，適用于光傳輸安裝、基站等通訊根底設置。

    國產企業(yè)打破光刻技術，推進產品向小型化、高精度趨向展開。

    石英晶體硬度及理化性質穩(wěn)定，頻率根本不隨溫度變化，由此產生的內部振蕩損失也小，十分適宜精細制造。同時，區(qū)別于傳統(tǒng)的機械式加工消費方式，改進的制程更便于 批量消費，能夠在保證小型化的同時把傾向控制在小限度內，從而使產品具備小型化、低耗電、高穩(wěn)定、高頻率的優(yōu)勢。
    應用QMEMS技術的微型化產品與傳統(tǒng)機械加工消費的晶振前端工藝區(qū)別為：
      1）微型化產品切割環(huán)節(jié)不是一次性切割成為單個音叉晶體單元， 而是首先切割成能夠匯合上千支晶片單元的大方片；
      2）音叉晶片及電極成型環(huán)節(jié)采用雙面光刻工藝，在WAFER片上中止光刻、金屬蒸鍍、激光調頻等集成處置，單個音叉單元尺寸極小。