MEMS 技術(shù)用于超小型音叉晶體，使體積壓縮至原有產(chǎn)品 1/10

      音叉諧振器包括底部和從底部延伸的兩個(gè)振動(dòng)臂，在兩個(gè)振動(dòng)臂上鍍有激勵(lì)電極（紅色 部分）。該常規(guī)結(jié)構(gòu)的晶片微型化后，激勵(lì)電極面積將隨之減小，不利于起振。MEMS 技 術(shù)通過對(duì)振動(dòng)片進(jìn)行三維立體加工形成 H 型槽的構(gòu)造，既確保了電極的面積，又提高了 電解效率。MEMS 技術(shù)有效推動(dòng)晶體諧振器小型化發(fā)展，光刻加工下的晶振體積縮小至 18.8mm3 小型音叉型晶體器件，體積僅為原有產(chǎn)品 1/10 以下。

        MEMS 技術(shù)用于 AT 型晶體/AT 振蕩器，將尺寸公差保持在 1um 以內(nèi)。

      利用 MEMS 技術(shù)的光刻加工可以提升石英晶體芯片的一致性與穩(wěn)定性，光蝕刻工藝能夠 將尺寸公差保持在 1um 以內(nèi)。

    光刻工藝首先使用電子束真空沉積系統(tǒng)將石英晶片化學(xué)蝕刻至預(yù)定頻率，清潔并用鉻和 金薄膜金屬化。石英掩模和雙對(duì)準(zhǔn)器光刻生成 AT 條帶圖案，其中晶片的頂部和底部表面同時(shí)對(duì)準(zhǔn)和曝光。然后通過隨后的光掩模步驟限定晶體電極和探針焊盤案。然后對(duì)晶片 進(jìn)行化學(xué)金屬和石英蝕刻以形成單獨(dú)的AT 條帶。后，使用孔掩模和薄膜金屬沉積將頂部和底部安裝墊連接在一起。光刻工藝完成后，晶圓包含上百個(gè)獨(dú)立的超小型AT晶體諧振器。